Be at the FIRST of Semiconductor
대한민국 반도체가 시작되는 곳
기술의 출발점은 언제나 기초에서 결정됩니다.
화려하지 않아도, 산업을 움직이는 기반.
디엔디티는 반도체의 핵심부품인 실리콘 웨이퍼 (Silicon Wafer)
제조업을 영위하고 있습니다.
Polished Wafer
폴리시드 웨이퍼
고순도의 다결정 실리콘으로부터 용융, 결정성장, 절단, 연마, 세정 과정을 거쳐 제조된 웨이퍼로, 실리콘 결정의 얇은 판 형태로 제조됩니다. 200mm/300mm 직경으로 생산되며, 주로 DRAM/NAND Flash Memory와 같은 메모리 반도체의 제조에 사용됩니다.
비메모리 반도체
메모리 반도체
Epitaxial Wafer
에피텍셜 웨이퍼
폴리시드 웨이퍼 위에 수 um 두께로 실리콘 단결정층을 증착한 웨이퍼입니다. EPI웨이퍼는 Logic Device 및 CMOS 이미지센서 등 비메모리반도체에 사용되며, 차세대 웨이퍼로서 점차 수요가 늘어나고 있습니다.
비메모리 반도체
메모리 반도체
SOI Wafer
SOI 웨이퍼
SOI 웨이퍼는 절연층(BOX, Buried Oxide)을 사이에 두고 상부의 디바이스 실리콘층과 하부의 핸들 실리콘층으로 구성된 구조의 웨이퍼입니다. 기생 용량 감소와 누설 전류 억제를 통해 고속 동작 및 저전력 특성을 구현할 수 있으며, 200mm 및 300mm 직경으로 제공됩니다. 주로 RF, 저전력 및 고집적 반도체 소자 제조에 사용됩니다.
RF / 비메모리 반도체
첨단 로직 · 통신 반도체
Argon Annealed Wafer
아르곤 열처리 웨이퍼
아르곤(Ar) 고순도 분위기에서 열처리 공정을 적용한 웨이퍼로, 금속 오염 농도를 최소화하고 결함 밀도(Density)를 개선하여 표면 안정도와 공정 신뢰성을 강화한 제품입니다. N형 및 P형 도핑이 가능하며, 100nm ~ 3µm 공정 스펙을 지원합니다. 150mm, 200mm, 300mm 직경으로 제공되며 고신뢰성 반도체 공정에 적합합니다.
비메모리 반도체
메모리 반도체
SiC Epitaxial Wafer
SiC 에피택셜 웨이퍼
SiC 에피택셜 웨이퍼는 4H-SiC 기판 위에 고품질 에피택셜 층을 성장시킨 웨이퍼로, 우수한 내전압 특성과 낮은 손실 특성을 바탕으로 고전력·고효율 전력 반도체 소자에 최적화된 제품입니다. 100mm 및 150mm 직경으로 제공되며, 전기차 및 신재생에너지용 전력 모듈에 폭넓게 적용됩니다.
RF / 비메모리 반도체
첨단 로직 · 통신 반도체
GaN-on-Si Epitaxial Wafer
Silicon 기반 GaN 에피택셜 웨이퍼
Silicon 기판 위에 GaN 및 AlGaN 구조를 형성한 에피택셜 웨이퍼로, 우수한 전력 밀도와 고주파 특성을 바탕으로 고속·고효율 전력 및 RF 소자에 적합한 제품입니다. 150mm 및 200mm 직경으로 제공되며, 차세대 전력 반도체 및 통신 응용 분야에 폭넓게 활용됩니다.
비메모리 반도체
메모리 반도체
Company Highlights
반도체 대구경 웨이퍼 제조기술
대한민국 '국가핵심기술' 지정
실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)는 일본, 독일 등 소수기업만이 제조 기술을 보유한 기술 진입 장벽이 높은 분야입니다. 디엔디티는 세계 최고 수준의 결정도 (Defect Free Crystal), 청정도(Small Size Particle control), 평탄도 (Super Flat Surface control) 기술력을 바탕으로 국내 기업으로는 유일하게 글로벌 반도체 기업에 제품을 공급하고 있습니다.